5-2-4硅外延生长的基本原理和影 响因素 石英反应管硅片 以SCL为例 流 流\石墨基座 反应管帽盖 冷却水 减压阀 感应加热线圈 h单 可调二通阀 氢化 氯发 氯 化生 净器 硅 氢器 图1硅气相外延生长装置原理图 ■原理:SiCl4+2H2<>Si+4HCl 1010 ◼ 原理：SiCl4+2H2  Si+4HCl 5-2-4硅外延生长的基本原理和影 响因素 以SiCl4为例