晶格能的数据可以通过实验测定和理论计算的方法得到。 (1)Born一Haber循环 根据Borm一Haber(玻恩-哈伯)循环计算晶格能，首先要正确地画出热力学循环图，明确 每一步所对应的能量变化的意义：然后查出升华格、电离能、气化格、键能、电子亲和能和标 准摩尔生成焓等热力学数据，并注意其取值和正、负号：最后根据Hs定律，由这些热力学数 据求出晶格能。利用这种方法算出的是晶格能的实验值 (2)用Born-Lande公式计算 假如没有热力学数据，可以用Born一Lande(玻思一朗德)公式计算晶格能的理论值： U.1-m R 式中：R为正、负离子的核间距(R+r),单位为pm。和分别为正、负离子电荷 数的绝对值。A为Madelung(马德隆)常量，其数值与品体类型有关：n为Bom指数，其数值 与离子的电子层结构类型有关。 表10.5几种晶体类型的Madelung常量 晶体类型 A CsCI型 1.736 NaCl型 1.748 ZnS型 1638 表10.6不同离子电子层结构的Borm指数 离子的电子层结构 n He 5 Ne 7 Ar(Cu') 9 Kr(Ag') 10 Xe(Au') 12 Born一Lande公式是计算品格能的理论公式。由此公式可以看出，离子所带的电荷越多， 晶格能越大：离子的半径越大，晶格能越小。 (3)KallyCTHHCKHM半经验公式 如果不知道离子晶体的类型，可用KallyCTHHCKH的（卡普斯钦斯基）半经验公式计算晶 格能的近似值： 晶格能的数据可以通过实验测定和理论计算的方法得到。 (1) Born－Haber 循环 根据 Born－Haber（玻恩-哈伯）循环计算晶格能，首先要正确地画出热力学循环图，明确 每一步所对应的能量变化的意义；然后查出升华焓、电离能、气化焓、键能、电子亲和能和标 准摩尔生成焓等热力学数据，并注意其取值和正、负号；最后根据 Hess 定律，由这些热力学数 据求出晶格能。利用这种方法算出的是晶格能的实验值。 (2) 用 Born－Landé公式计算 假如没有热力学数据，可以用 Born－Landé（玻恩－朗德）公式计算晶格能的理论值： 1 0 1 2 5 kJ mol 1 1 R 1.3894 10 Az z U −        −  = n 式中：R0 为正、负离子的核间距（R0≈r++r-），单位为 pm。z1 和 z2 分别为正、负离子电荷 数的绝对值。A 为 Madelung（马德隆）常量，其数值与晶体类型有关；n 为 Born 指数，其数值 与离子的电子层结构类型有关。 表 10.5 几种晶体类型的 Madelung 常量 晶体类型 A CsCl 型 1.736 NaCl 型 1.748 ZnS 型 1.638 表 10.6 不同离子电子层结构的 Born 指数 离子的电子层结构 n He 5 Ne 7 Ar(Cu+ ) 9 Kr(Ag+ ) 10 Xe(Au+ ) 12 Born－Landé公式是计算晶格能的理论公式。由此公式可以看出，离子所带的电荷越多， 晶格能越大；离子的半径越大，晶格能越小。 (3) KaПyCTИHCKИЙ 半经验公式 如果不知道离子晶体的类型，可用 KaПyCTИHCKИЙ（卡普斯钦斯基）半经验公式计算晶 格能的近似值：