材料导电能力的差异与原因 能带间隙(Energy Band Gap) n 100 10 100 10 Wide band gap 81 9 LUMO 81 十9 Narrow band gap No gap E/(h/8mL?)64 十8HOM0 64 ↑8 Increasing energy 49 甘2 36 6 Insulator Semiconductor Metal 36 十6 25 5 Energy levels in conduction band 4 6 4 3 4 Energy levels in valance band 金属之E.值几乎为0eV，半导体材料E.值在1.03.5 eV之间，绝缘体之E.值则远大于3.5eV。材料导电能力的差异与原因 能带间隙 (Energy Band Gap) (Energy Band Gap) 金属之E g值几乎为0 eV ，半导体材料E g值在1.0~3.5 eV之间，绝缘体之E g值则远大于3.5 eV