行地址,行地址应在RAS有效前的ts有效,并要保持一段时间(≥ta)。 刷新操作是按行(2116每行128个存储元)进行,对于2116来说,共有128行,可由 7位的二进制计数器顺序产生刷新的行地址 刷新周期和存储周期时间相同。 4.动态存储器的刷新 由于MoS动态存储元是以电荷形式存储信息的,栅极电容会缓慢放电,为维持所存信 息,需定时补充电荷,这就是刷新 读出过程是补充电荷(刷新)的过程,但访问的随机性不能保证定期按序的刷新。 刷新周期:2ms,4ms或8ms (1)DRAM的刷新方式 ①集中刷新方式:刷新操作集中进行。 例:对128×128矩阵存储器刷新 点:存储器系统的读写周期接近于存储器件的读写周期,速度快。 读冂写或维持 刷新 读/写或维持 tc ctmtc (随机) 3872周期(1936μs) 128周期(64μs) (a)集中刷新方式 系统周 期序号(0) (127) (128) (130) 刷新间隔128个系统周期(128um) (b)分散刷新方式 3.14三种刷新方式的时间分配 缺点:刷新期间不能进行读/写(死时间),增加存储管理困难。行地址，行地址应在 RAS 有效前的 有效，并要保持一段时间 ASR t ( ) AH ≥ t 。 刷新操作是按行（2116 每行 128 个存储元）进行，对于 2116 来说，共有 128 行，可由 7 位的二进制计数器顺序产生刷新的行地址。 刷新周期和存储周期时间相同。 ４．动态存储器的刷新 由于ＭＯＳ动态存储元是以电荷形式存储信息的，栅极电容会缓慢放电，为维持所存信 息，需定时补充电荷，这就是刷新。 读出过程是补充电荷（刷新）的过程，但访问的随机性不能保证定期按序的刷新。 刷新周期：2ms，4ms 或 8ms。 (1)ＤＲＡＭ的刷新方式 ① 集中刷新方式：刷新操作集中进行。 例：对 128×128 矩阵存储器刷新 设 TMC=0.5us 优点：存储器系统的读写周期接近于存储器件的读写周期，速度快。 系统周 期序号 （0） （1） （2） （126） （127） （128） （129） （130） W/R REF W/R REF W/R REF W/R REF W/R REF W/R REF W/R REF W/R REF X 0 Y 1 Z 2 S 126 T 127 U 0 V 1 W 2 tM TR tC 刷新间隔 128 个系统周期（128μm） ( b )分散刷新方式 读/写或维持 刷新 周期序号 地址 序号 （随机） 0 tC tC tC tC tC tC tC tC 1 2 3870 3871 3872 3873 3999 0 1 X Y Z V W 0 1 127 读/写或维持 刷新序号 3872 周期（1936μs） 128 周期（64μs） 刷新间隔（2ms） ( a )集中刷新方式 W/R W/R W/R W/R REF W/R W/R W/R W/R REF tC tC μs 0.5 μs 0.5 μs 0.5 15.5μs 15.5μs 图 3.14 三种刷新方式的时间分配 缺点：刷新期间不能进行读/写（死时间），增加存储管理困难