2)2116DRAM的读周期、写周期和刷新周期 tRc一读周期时间 tcAs-CAS脉冲宽度 tcs-读命令建立时间 tRcH—读命令保持时间 too数据输出保持时间 DouT 数据输出有 (a)读周期 CAS twp一写命令脉冲宽度 tw一从RAS无效到写命 Lcw一从CAs无效到写命 tDs写入数据建立时间 (b)写周期 图3.12读、写周期时序图 2)读周期2116芯片读周期的波形示于图3.12(a)。 3)写周期2116芯片读周期的波形示于图312(b)。 4.刷新周期为2ms 刷新周期2116是动态存储器,其刷新周期是2ms,即每个存储元必须在2ms之内刷 新一次 2116的刷新周期波形如 图3.13所元 刷新时,RAS为低电平 且宽度不小于las,而CAS 为高电平,另外,为正确接收 - taH 图3.13只用RAS的刷新周期（２）2116ＤＲＡＭ的读周期、写周期和刷新周期 WE CAS 数据输出有效 tRAS tRCL tCAS tASR tAH tRC tASC tAH tRCS tRCH tCAC tDOH tRAC (a)读周期 地址 tRC 读周期时间 tRAS RAS DOUT 数据 RAS 脉冲宽度 tCAS CAS 脉冲宽度 tRCS 读命令建立时间 tRCH 读命令保持时间 tDOH 数据输出保持时间 无效到写命 WE CAS tRAS tRCL tCAS tWC (b)写周期 地址 写周期时间 RAS DIN 数据 RAS 写命令保持时间 写命令脉冲宽度 写入数据建立时间 tDH 数据输出保持时间 tWCH tWP tDS tDH tRWL tCWL tWC tWCH tWP tRWL 从 令开始的时间 tDS 图 3.12 读、写周期时序图 tCWL 从CAS 无效到写命 2）读周期 2116 芯片读周期的波形示于图 3.12（ａ）。 3).写周期 2116 芯片读周期的波形示于图 3.12（b）。 4).刷新周期为 2ms 刷新周期 2116 是动态存储器，其刷新周期是 2ms，即每个存储元必须在 2ms 之内刷 新一次。 CAS 地址 RAS tRCP tASR tCH tAH 2116 的刷新周期波形如 图 3.13 所示。 刷新时， RAS 为低电平 且宽度不小于 ，而 RAS t CAS 为高电平，另外，为正确接收 图 3.13 只用 RAS 的刷新周期