雪体物理学黄尾第七章半辱体电予论20050406 =q(n2+-p) 1)从j=n+jn=-J6(e-1)可以看到,当正向电压增加时,电流增加很快 2)由j=q(mn+2p9)看出,通过PN结的电流与N区少子p、P区少子n成正比,如 果N区掺杂浓度远大于P区掺杂浓度,则有:n>p,PN结电流中将以电子电流为主。 3.PN结的反向抽取 当PN结加有反向偏压一一P区为负电压,外电场与自建场方向相同,势垒增高,载流子的漂移运 动超过扩散运动一—只有N区的空穴和P区的电子才能在结区电场的作用下漂移过PN结。如图 E XCH00701403 N区 P+N E P区 XCH00701404 XCH00701403~04所示 N区中的空穴一到达边界即被拉到P区,同理P区中的电子一到达边界即被拉到N区 XCH00701405 E △n 十 E PN结反向抽取作用,如图XCH00701405所示。 REVISED TIME: 0S-5-26 CREATED BY XCH固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论_20050406 —— ( ) 0 0 0 N p p P n n p L D n L D j = q + 1） 从 ( 1) 可以看到，当正向电压增加时，电流增加很快； / = + = − 0 − qV k T n p B j j j j e 2） 由 ( ) 0 0 0 N p p P n n p L D n L D j = q + 看出，通过 结的电流与 N 区少子 、P 区少子 成正比，如 果 N 区掺杂浓度远大于 P 区掺杂浓度，则有： ，PN 结电流中将以电子电流为主。 PN 0 pN 0 nP 0 0 nP >> pN 3. PN 结的反向抽取 当 结加有反向偏压—— P 区为负电压，外电场与自建场方向相同，势垒增高，载流子的漂移运 动超过扩散运动——只有 N 区的空穴和 P 区的电子才能在结区电场的作用下漂移过 结。如图 XCH007_014_03~04 所示。 PN PN N 区中的空穴一到达边界即被拉到 P 区，同理 P 区中的电子一到达边界即被拉到 N 区 —— PN 结反向抽取作用，如图 XCH007_014_05 所示。 REVISED TIME: 05-5-26 - 4 - CREATED BY XCH