雪体物理学黄尾第七章半辱体电予论20050406 nn=ne eo0)和n=ne-0k比较 np=neq--外加电场使边界处电子的浓度提高er倍 边界处非平衡载流子浓度:np-n=np(e-1) 正向注入是电子在P区边界积累,同时向P区扩散,是非平衡载流子边扩散、边复合形成电流。 XCH0070140 E q △ nole NPN(egl E 图XCH00701406所示 应用非平衡载流子流密度-D=,=N 边界处x=0,N0=np(eqkn-1) 电子扩散流密度:mB(e-1)n-- d and L分别是电子的扩散系数和扩散长度。 注入到P区的电子电流密度:=-qm(e-1D 在N区边界空穴积累,同时向N区扩散,也是非平衡载流子边扩散、边复合形成电流。 注入到N区的空穴电流密度:j=-qp)(e-1) PN结总的电流密度:j=jn+n=-j0(e-1)一一肖克莱方程( W. Shockley) REVISED TIME: 0S-5-26 CREATED BY XCH固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论_20050406 q V V k T P N D B n n e 0 − ( − )/ = 和 比较 qV k T P N D B n n e 0 0 − / = qV k T P P B n n e 0 / = ——外加电场使边界处电子的浓度提高 倍。 qV kBT e / 边界处非平衡载流子浓度： ( 1) 0 0 / − = − qV k T P P P B n n n e 正向注入是电子在 P 区边界积累，同时向 P 区扩散，是非平衡载流子边扩散、边复合形成电流。 —— 如图 XCH007_014_06 所示 应用非平衡载流子流密度 x L e L D N dx dN D / 0 − − = 边界处 x = 0 ， ( 1) 0 / 0 = − qV k T P B N n e 电子扩散流密度： n qV k T n P L D n e B ( 1) 0 / − —— Dn and Ln 分别是电子的扩散系数和扩散长度。 注入到 P 区的电子电流密度： 0 / ( 1) B qV k T n n P n D j qn e L = − − 在 N 区边界空穴积累，同时向 N 区扩散，也是非平衡载流子边扩散、边复合形成电流。 注入到 N 区的空穴电流密度： 0 / ( 1) B qV k T p p N p D j qp e L = − − PN 结总的电流密度： ( 1) ——肖克莱方程（W. Shockley） / = + = − 0 − qV k T n p B j j j j e REVISED TIME: 05-5-26 - 3 - CREATED BY XCH