《半导体器件物理》教学大纲 课程性质专业必修课 课程编号 Xx417209课程名称半导体器件物理 适用专业 电子信息科学与技术 先修课程 半导体物理、固体物理学 总学时48其中理论48学时，实验0学时学分数3 一、课程简介 本课程是电子信息科学与技术本科生专业必修的主干专业基础课，它的前修课程是 电子技术类基础课程和半导体物理学，后续课程为半导体集成电路等专业课程，同时该 门课程是国家重点学科微电子学与固体电子学硕士研究生入学考试的专业课。 本课程的教学目的和要求是使学生掌握半导体器件的基本结构、物理原理和特性， 熟悉半导体器件的主要工艺技术及其对器件性能的影响，使学生掌握各类常用半导体器 件的工作原理、性能参数及半导体材料参数、器件结构参数和制造工艺参数之间的相互 关系，学习半导体器件的基本设计方法，从而使学生能够为今后的电路设计打下坚实的 理论基础。 二、课程教学目标 通过本课程的学习，学生应实现如下目标： 1、知识目标： 了解：半导体晶体结构和缺陷、半导体的能带与杂质能级、半导体中的平衡与非平 衡载流子、半导体中载流子的输运现象、半导体表面、功率MOS场效应晶体管、绝缘 栅双极晶体管、半导体光学效应及光电二极管、发光二极管、半导体激光器等。 掌握：PN结的直流特性、PN结的击穿特性、PN结的电容效应、PN结的开关效应、 金属，半导体的整流接触和欧姆接触；晶体管的电流放大原理、晶体管的直流伏安特性 曲线、晶体管的反向电路与击穿特性、晶体管的频率特性、功率特性、开关特性、晶体 管的设计：MOS场效应晶体管的工作原理和输出特性、MOS管的直流电路-电压特性 MOS结构的电容-电压特性、MOS管的交流小信号参数和频率特性、MOS管的开关特 性和二级效应；FET的工作原理、FET的直流和交流小信号参数、FET的高频参数。1 《半导体器件物理》教学大纲 课程性质 专业必修课 课程编号 xx417209 课程名称 半导体器件物理 适用专业 电子信息科学与技术 先修课程 半导体物理、固体物理学 总学时 48 其中理论 48 学时，实验 0 学时 学分数 3 一、课程简介 本课程是电子信息科学与技术本科生专业必修的主干专业基础课，它的前修课程是 电子技术类基础课程和半导体物理学，后续课程为半导体集成电路等专业课程，同时该 门课程是国家重点学科微电子学与固体电子学硕士研究生入学考试的专业课。 本课程的教学目的和要求是使学生掌握半导体器件的基本结构、物理原理和特性， 熟悉半导体器件的主要工艺技术及其对器件性能的影响，使学生掌握各类常用半导体器 件的工作原理、性能参数及半导体材料参数、器件结构参数和制造工艺参数之间的相互 关系，学习半导体器件的基本设计方法，从而使学生能够为今后的电路设计打下坚实的 理论基础。 二、课程教学目标 通过本课程的学习，学生应实现如下目标： 1、知识目标： 了解：半导体晶体结构和缺陷、半导体的能带与杂质能级、半导体中的平衡与非平 衡载流子、半导体中载流子的输运现象、半导体表面、功率 MOS 场效应晶体管、绝缘 栅双极晶体管、半导体光学效应及光电二极管、发光二极管、半导体激光器等。 掌握：PN 结的直流特性、PN 结的击穿特性、PN 结的电容效应、PN 结的开关效应、 金属-半导体的整流接触和欧姆接触；晶体管的电流放大原理、晶体管的直流伏安特性 曲线、晶体管的反向电路与击穿特性、晶体管的频率特性、功率特性、开关特性、晶体 管的设计；MOS 场效应晶体管的工作原理和输出特性、MOS 管的直流电路-电压特性、 MOS 结构的电容-电压特性、MOS 管的交流小信号参数和频率特性、MOS 管的开关特 性和二级效应；JFET 的工作原理、JFET 的直流和交流小信号参数、JFET 的高频参数