因上汗大程 因上济汽大亭 电子产品核心一集成电路 集成电路基本单元一MOS三极管 集成电略 期由叠极(V2) 性 业题道（电于能道） 502随旅康 Vz=时 。品体管（脑细胞） 。电路（神经网路） 很与漫限具 二极管、三极管 各种布线、各种互连 明出源授(V)1 多件5轻授 t引出圈最(vd) source 由于NPA射的作用 无略过。 Vg>,但较小时 服每.的 界圆岗产生正孔的 黄甜 substrate V>0,且较离时 高度巢成 题餐时P.s的界 司l应息 （电子道）， ©上泽文大号 ©上汗汽《大多 电子互连在微电子产品中的作用 电路的形成一多层布线与互连 工诸作用 机帐连树电气连接尺寸过视散格两道 Solder Plated Lead Au Wire PCB PCB Solder Paste Solder Ball Solder Joint PCB ubstrate SolderPaste 因上洋天大子 圈上手天大学 电子封装中的各种互连 印刷线路板上的各种互连 明线框架型，引线糖合 球漏阵列，明，使合 QN,引线M合 球廉阵列，芯片侧装，凸点健合 停缘苍片铜黄，凸点使台 33 电子产品核心—集成电路  晶体管（脑细胞） 二极管、三极管 集成电路  电路（神经网络） 各种布线、各种互连 高度集成 Vg Vs Vsub Vd 特 性 Vg = 0时 源极与漏极间， 由于NPN结的作用 无电流通过。 Vg > 0，但较小时 栅极与P-Si的 界面间产生正孔的 空乏层，无电流通 过。 Vg > 0 ，且较高时 栅极与P-Si的界 面间形成电子富集 层（电子隧道）， 源极与漏极连通， 电流通过。 引出漏极（Vd） drain P-Si 多晶体-Si栅极 SiO2 绝缘膜 引出栅极（Vg） gate N-Si 源极 N-Si 漏极 基极（Vsub） substrate 引出源极（Vs） source N型隧道（电子隧道） Vg Vs Vd 集成电路基本单元—MOS三极管 Chip DIE Chip PCB PCB Solder Plated Lead Substrate Au Wire Solder Paste Solder Ball Solder Joint 互连作用 电子互连在微电子产品中的作用 电路的形成——多层布线与互连 N-Well P-Well P+ P+ N+ N+ Met 1 Met 2 Met 3 Met 4 Met 5 Met 6 6kA SIN 10kÅ HDP Chip PCB Substrate Au Wire Solder Paste 电子封装中的各种互连 带载，芯片倒装，凸点键合 球珊阵列，芯片倒装，凸点键合 球珊阵列，引线键合 引线框架型，引线键合 QFN，引线键合 DIP PGA QFP、SOP BGA 印刷线路板上的各种互连