点击下载:西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第三章 晶园制造
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几种工艺的比较 PARAMETER CZ FLOAT ZONE Large Crystal Yes Difficult Cost Lower Dislocations 0-10/cm2 103-105/cm Resistivity Up to 100 ohm. 2000 ohm-cm c Max Radial Resistivity 5-10% 5-10% Oxygen Content 1018-1018 0-Very Low atoms/cm3• 几种工艺的比较
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