份子束外延及脆课程目标1、 膜结构和缺陷分 课堂讲授+实作 .4 学习 17 电解质沉积，多 课堂讲授+实作 品硅沉积薄膜课程目标1、》 金属化 学习 线成电路测试」 18 封装及工艺控 果程目标1、2 课堂讲授+实作 制：新工艺技 学习 评价项目及配分 评价项目说明 支撑课程目标 作业、视频学习、小设计、单 平时(30%) 1、2、3、4 评价方式 元测验、阶段小测等 期末(70%) 考查 1、2、3 1.半导体工艺制造实用教程（第六版），韩郑生译电子工业出版社，2020年6 建议教材 月 及学习资料 多媒体救室 教学条件 需求 无 注意事项 备注： 1,本课程教学大纲F一」项同一课程不同授课教师应协同讨论研究达成共同核心内涵，经教 学工作指导小组审议通过的课程教学大纲不宜自行更改。 2.评价方式可参考下列方式： (1)纸笔考试：平时小测、期中纸笔考试、期末纸笔考试 (2②)实作评价：课程作业、实作成品、日常表现、表演、观寒 (3)档案评价：书面报告、专题档案 (④口语评价：口头报告、口试 16 分子束外延及胞 膜结构和缺陷分 析 课程目标1、 2、4 课堂讲授+实作 学习 17 电解质沉积，多 晶硅沉积，薄膜 金属化 课程目标1、2 课堂讲授+实作 学习 18 集成电路测试， 封装及工艺控 制；新工艺技术 未来展望 课程目标1、2 课堂讲授+实作 学习 H 评价方式 评价项目及配分 评价项目说明 支撑课程目标 平时（30%） 作业、视频学习、小设计、单 元测验、阶段小测等 1、2、3、4 期末（70%） 考查 1、2、3 I 建议教材 及学习资料 1.半导体工艺制造实用教程（第六版），韩郑生译电子工业出版社，2020年6 月 J 教学条件 需求 多媒体教室 K 注意事项 无 备注： 1.本课程教学大纲F—J 项同一课程不同授课教师应协同讨论研究达成共同核心内涵。经教 学工作指导小组审议通过的课程教学大纲不宜自行更改。 2.评价方式可参考下列方式： (1)纸笔考试：平时小测、期中纸笔考试、期末纸笔考试 (2)实作评价：课程作业、实作成品、日常表现、表演、观察 (3)档案评价：书面报告、专题档案 (4)口语评价：口头报告、口试