导体表面势〃>0,空穴附加能量q",使得能带向下弯,形成空穴势垒。所以, 型硅和银接触后半导体表面形成空穴势垒,即空穴阻挡层。又因 W=5.36eV>W=505e ,所以,p型硅和铂接触后不能形成阻挡层 (3)银和p-Si接触形成的阻挡层其势垒高度: qD=Wn-W=4.81-5.05=-0.24e 评析:在不考虑表面态时,金属与半导体接触时,是形成肖特基势垒还是欧姆接触反阻 挡层接触),取决于金属和半导体的功函数差。 例2.施主浓度ND=1cm的n型硅(如图),室温下功函数是多少?若不考虑表面 态的影响,它分别同Al、Au、Mo接触时,是形成阻挡层还是反阻挡层?硅的电子 亲合能取405V。设Wn=4.18e,Wm=520e",W=42l。 EEE Ev 思路与解:设室温下杂质全部电离 E-E n=No=N exp(- 则 EF=E+kTIn-D=E+0.026In 107 =E-0.147(eV) 2.8×10 即 Ep≈E-0.15(e) Si的功函数为: W=x+(E-EF)=405+0.15=4.20eV) 已知:W=418e,Wn<W,故二者接触形成反阻挡层。 显然 故Au与n-Si接触,Mo与n-Si接触均形成阻挡层 评析:在不考虑表面态时,金属与半导体接触时,是形成肖特基势垒还是欧姆接触(反阻 挡层接触),取决于金属和半导体的功函数差。导体表面势 0 Vs  ，空穴附加能量 s qV ，使得能带向下弯，形成空穴势垒。所以， p 型硅和银接触后半导体表面形成空穴势垒，即空穴阻挡层。又因 5.36 5.05 W eV W eV pt s =  = ，所以，p 型硅和铂接触后不能形成阻挡层。 （3）银和 p-Si 接触形成的阻挡层其势垒高度： 4.81 5.05 0.24 D m s qV W W eV = − = − = − 评析：在不考虑表面态时，金属与半导体接触时，是形成肖特基势垒还是欧姆接触(反阻 挡层接触），取决于金属和半导体的功函数差。 例 2. 施主浓度 17 3 10 N cm D − = 的 n 型硅（如图），室温下功函数是多少？若不考虑表面 态的影响，它分别同 Al、Au、Mo 接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子 亲合能取 4.05eV。设 4.18 W eV Al = ， 5.20 W eV Au = ， 4.21 W eV Mo = 。 思路与解：设室温下杂质全部电离： 则 exp( ) c F D c E E n N N k T − = = −  17 19 10 ln 0.026ln 0.147( ) 2.8 10 D F c c c c N E E k T E E eV N = + = + = −  即 0.15( ) E E eV F c  −  n-Si 的功函数为： ( ) 4.05 0.15 4.20( ) W x E E eV s c F = + − = + = 已知： 4.18 W eV Al = ，   W W Al s ，故二者接触形成反阻挡层。 5.20 W eV Au = ， 4.21 W eV Mo = 显然，    W W W Au Mo s 故 Au 与 n-Si 接触，Mo 与 n-Si 接触均形成阻挡层。 评析：在不考虑表面态时，金属与半导体接触时，是形成肖特基势垒还是欧姆接触(反阻 挡层接触），取决于金属和半导体的功函数差。 Eo Ec EF Ev