上面两式说明,EF在E之下,而EF在E之上。且非平衡态时空穴的准费米能级和和原 来的费米能级几乎无差别,与电子的准费米能级相差甚远,如下图所示。 ErP 光照前 光照后 评析:由此可见,在小注入时,非平衡载流子对少数载流子的影响远远大于对多数载流 子的影响。 第六章金属和半导体接触 例1.设p型硅(如图7-2),受主浓度N=10cm,试求: 1)室温下费米能级F的位置和功函数; (2)不计表面态的影响,该p型硅分别与铂和银接触后是否形成阻挡层 (3)若能形成阻挡层,求半导体一边势垒高度 已知:W=4.8le Wn=5.36eN,=10°cm Ex=1. 12ev 硅电子亲合能x=405e Er-E 恩路与解:(1)室温下,可认为杂质全部电离,若忽略本征激发k7,则 Ne 10 得: E=E,+kTn=0026N10.12(e) En=E。-0.12=1.0(e 功函数 W=En+x=1.0+405=505(eV) (2)不计表面态的影响。对p型硅 w>w m时,金属中电子流向半导体,使得半上面两式说明， p EF 在 Ei 之下，而 n EF 在 Ei 之上。且非平衡态时空穴的准费米能级和和原 来的费米能级几乎无差别，与电子的准费米能级相差甚远，如下图所示。 光照前 光照后 评析：由此可见，在小注入时，非平衡载流子对少数载流子的影响远远大于对多数载流 子的影响。 第六章 金属和半导体接触 例 1. 设 p 型硅（如图 7－2），受主浓度 17 3 10 N cm A − = ，试求： (1) 室温下费米能级 EF 的位置和功函数 Ws ； EV (2) 不计表面态的影响，该 p 型硅分别与铂和银接触后是否形成阻挡层？ (3) 若能形成阻挡层，求半导体一边势垒高度。 已知： 4.81 W eV Ag = 5.36 W eV pt = 19 3 10 N cm v − = 1.12 E eV g = ; 硅电子亲合能 x eV = 4.05 思路与解：（1）室温下，可认为杂质全部电离，若忽略本征激发 E E F v k T − − ，则 A v p N N e = = 得： 19 17 10 ln 0.026ln 0.12( ) 10 v F v v A N E E k T E eV N = + = = + 0.12 1.0( ) E E eV n g = − =  功函数 1.0 4.05 5.05( ) W E x eV s n = + = + = （2）不计表面态的影响。对 p 型硅，当 W W s m  时，金属中电子流向半导体，使得半 Ec Ei EF Ev EF p EF n