§6.2实际肖特基势垒高度的调制 实际测量的M/S肖特基势垒参数与理论结果不一致,为了解 释实验结果,人们探讨了各种可能影响和调整肖特基势垒 的因素,建立相应的理论。这些因素包括: 镜像力 界面态 62.1MS中的镜像力和镜像力引起的势垒降低 如果金属和半导体功函数不同,则在形成MS接触达到热 平衡时,会发生载流子的再分布,并在半导体表面区域产 生净电荷。这种净电荷会在金属中感应形成镜像电荷, 者形成镜像力,这种镜像力的作用势会引起肖特基势垒高 度的降低。这种由镜像力引起的肖特基势垒降低的值约在 10~20mⅤ范围。§6.2 实际肖特基势垒高度的调制 6.2.1 M/S中的镜像力和镜像力引起的势垒降低 如果金属和半导体功函数不同，则在形成M/S接触达到热 平衡时，会发生载流子的再分布，并在半导体表面区域产 生净电荷。这种净电荷会在金属中感应形成镜像电荷，二 者形成镜像力，这种镜像力的作用势会引起肖特基势垒高 度的降低。这种由镜像力引起的肖特基势垒降低的值约在 10~20 mV范围。 实际测量的M/S肖特基势垒参数与理论结果不一致，为了解 释实验结果，人们探讨了各种可能影响和调整肖特基势垒 的因素，建立相应的理论。这些因素包括： •镜像力 •界面态