§6.1金属/半导体接触 6.15MS接触的电势分布和 Poisson方程求解 金属和半导体接触在半导体表面形成的表面势为: =中1-的s=v(0) 2 8 耗尽层厚度与表面势的 电荷密度 关系满足: Charge density 8 电场 gNd Electric field 耗尽层电荷量为 电势 0=qAxa Nd=A2 qEs, N ao Potential 其中A为半导体耗尽区横 截面积 等同于PN结的单边突变结的结果§6.1 金属/半导体接触 金属和半导体接触在半导体表面形成的表面势为： 2 2 1 )0( d Si d SMi x qN ε ψφφφ ==−= 耗尽层厚度与表面势的 关系满足： 耗尽层电荷量为： 其中A为半导体耗尽区横 截面积 d iSi d qN x 2 φε = dd == 2 NqANqAxQ φε idSi 6.1.5 M/S接触的电势分布和Poisson方程求解 电荷密度 电场 电势 d Si d x qN ε 2 2 1 d Si d x qN ε 等同于PN结的单边突变结的结果