§6.1金属/半导体接触 615M/S接触的电势分布和 Poisson方程求解 为简单起见,做以下假设(耗尽近似) n 1)忽略空穴浓度,p=0 E 2)在x=0到x=x的半导体表面势 的范围内,n=0(耗尽近似) 3)当x>x时,n=N(完全电离 4)在空间电荷区总电荷为 0-=qNx irge aV=24=4(n-p)-(N-N)=-N 从任意点x到x=x,积分得 在x=0处,电场ξ取最大值,为: q max 从x到x再次积分得:V()=-4(x2-x) 28§6.1 金属/半导体接触 6.1.5 M/S接触的电势分布和Poisson方程求解 为简单起见，做以下假设（耗尽近似）： 1）忽略空穴浓度，p＝0 2）在 x＝0 到 x＝xd的半导体表面势 的范围内，n＝0 （耗尽近似） 3）当 x>xd时，n＝Nd（完全电离） 4）在空间电荷区总电荷为 Q=qNdxdA [ ] ( )( ) d Si ad Si N q NNpn q dx d dx d ε ε ξψ −≈−−−=−= 2 2 从任意点 x 到 x＝xd积分得： 在 x=0 处，电场ξ 取最大值，为： 从 x 到 xd再次积分得： ( ) ( ) xx qN x d Si d −−= ε ξ d Si d x qN ε ξ max −= ( ) ( )2 2 xx qN x d Sid −−= ε ψ