原理： LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的 F可以移入晶格邻近的空穴而导电。对 氟 离 Ag-AgCI 于一定的晶体膜，离子的大小、形状和 内参比 子 电极 电荷决定其是否能够进入晶体膜内，故 选 膜电极一般都具有较高的离子选择性。 择 F、CI 当氟电极插入到F溶液中时，F在 膜电 内参比 溶液 晶体膜表面进行交换。25℃时： 氟化钢 单晶膜 E膿=K-0.059lg4r=K+0.059pF 具有较高的选择性，需要在pH5~7之间使用，pH高时， 溶液中的OⅢ与氟化澜晶体膜中的F交换，pH较低时，溶液 中的F生成HF或HF2ˉ。 23:09:3423:09:34 原理: LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的 F -可以移入晶格邻近的空穴而导电。对 于一定的晶体膜，离子的大小、形状和 电荷决定其是否能够进入晶体膜内，故 膜电极一般都具有较高的离子选择性。 当氟电极插入到F -溶液中时，F -在 晶体膜表面进行交换。25℃时： E膜 = K - 0.059 lgaF -= K + 0.059 pF 具有较高的选择性，需要在pH5～7之间使用，pH高时， 溶液中的OH-与氟化镧晶体膜中的F -交换，pH较低时，溶液 中的F -生成HF或HF2 -