增强型MOs管工作原理(以NMOS为例) ①vs=0,vs较小:s、d之间 没有导电沟道漏源间只是 两个“背向”串联的PN结), g 所以d-s间呈现高阻,i≈0。的 P型衬底 B 正常工作时,B和s通常接在一起 耗尽层 ②当vs>0,表面形成耗尽层 当vs增强到足够大:耗尽 层下移,栅极与衬底之间产生 个垂直电场(方向为由栅极指 向衬底),它使漏源之间的P型 硅表面感应出电子层(反型层)使 N十J 两个N区连通,形成N型导电 沟道。绝缘层与耗尽层之间形 P型衬底 反型层 成一个N型薄区(反型层)。 B增强型MOS管工作原理 ( 以NMOS为例） ① vGS = 0 , vDS较小 ： s 、 d之间 没有导电沟道 (漏源间只是 两个 “背向 ”串联的PN 结 ) ， 所以 d - s间呈现高阻 ， iD ≈ 0 。 ② 当 vGS ＞ 0 ，表面形成耗尽层 当 vGS增强到足够大 ：耗尽 层下移 ，栅极与衬底之间产生 一个垂直电场 (方向为由栅极指 向衬底 ) ，它使漏 -源之间的 P 型 硅表面感应出电子层 (反型层 ) 使 两个N+区连通 ，形成 N型导电 沟道 。绝缘层与耗尽层之间形 成一个 N型薄区 （反型层 ） 。 s d B 正常工作时， B 和 s通常接在一起 耗尽层反型层