开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压 VGs(习惯上常表示为H)。 口vs>V时,ves对i的控制作用 vs将在栅极与衬底之间产生 个垂直电场(方向为由栅极 指向衬底),它使漏-源之间的 P型硅表面感应出电子层(反型 P型衬底 层)使两个N区连通,形成N 反型层 B 型导电沟道。d、s间呈低阻 所以在vs的作用下产生一定 的漏极电流i 当vcs=0时没有导电沟道,而当vs增强到>v时才 形成沟道,所以称为增强型MQS管。并且vs越大, 导电沟道越厚,等效电阻越小,i越大。当vGS＝0时没有导电沟道，而当vGS 增强到＞VT时才 形成沟道，所以称为增强型MOS管。并且vGS越大， 导电沟道越厚，等效电阻越小，iD越大。 开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压 VGS(th)(习惯上常表示为VT)。 反 型 层  vGS＞VT时，vGS对iD的控制作用 vGS将在栅极与衬底之间产生 一个垂直电场(方向为由栅极 指向衬底)，它使漏-源之间的 P型硅表面感应出电子层(反型 层)使两个N+区连通，形成N 型导电沟道。d、s间呈低阻， 所以在vDS的作用下产生一定 的漏极电流iD