GS >V且为定值时,vs对的影响 漏源电压v影响:由于沟道电阻的存在,i沿沟道 方向所产生的电压降使沟道上的电场产生不均匀分 布。近端电压差较高,为vcs;近d端电压差较低, 为vcD=va GS VDS 所以沟道呈楔形分布。 当Ws较小时:Ws对导电 沟道的影响不大,沟道主 要受vs控制,所以在为 g 定值时,沟道电阻保持不 变,随vs增加而线性 反 增加。 P型衬底 型 层 B GS y DS 0<vDs <VGs漏-源电压vDS影响：由于沟道电阻的存在， iD沿沟道 方向所产生的电压降使沟道上的电场产生不均匀分 布。近s端电压差较高，为vGS；近d端电压差较低， 为vGD＝vGS-vDS，所以沟道呈楔形分布。 ③ vGS＞VT且为定值时，vDS对iD的影响 DS GS T GS DS T v v V v v V   − −  0 • 当 vDS较小时： vDS对导电 沟道的影响不大，沟道主 要受vGS控制， 所以在为 定值时，沟道电阻保持不 变，iD随vDS 增加而线性 增加。 反 型 层