Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft MOS工艺:n+或p+扩散电阻 金風 二氧化 p 场区氧化 N-we n 衬底 >50-1509/方块 >存在对衬底的寄生电容3 MOS工艺： n+或p+扩散电阻 50－150Ω/方块 存在对衬底的寄生电容 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only