利用磁高斯定理和安培环路定理可证明：在不 同介质交界面两侧的磁场满足如下边界条件： Bin=B2n B H. H=H2 B,/B1 r B2 r H1 r H2 r n r t2t1 n2n1 HH BB = = 利用磁高斯定理和安培环路定理可证明：在不 同介质交界面两侧的磁场满足如下边界条件：