3区域溶炼法制单晶硅 区域溶炼法是将目标物质的 粉末烧结成棒状多晶体，放入单晶炉 ，两端固定，注意不要使多晶棒与炉 壁接触，这样，棒四周就是气体气氛 。然后用高频线圈加热，使多晶棒的 目标物质 杂质 很窄一段变为熔体，转动并移动多晶 棒，使熔体向一个方向缓慢移动，如 果重复多次。由于杂质在熔融态中的 浓度远大于在晶态中的浓度，所以杂 质将集中到棒的一端，然后被截断弃 加热 去。同时，经过这种熔炼的过程，多 晶棒转变为单晶棒。 在半导体上十分有用的单晶硅、砷化镓就是通过这种 方法获得的。3 区域溶炼法制单晶硅 区域溶炼法是将目标物质的 粉末烧结成棒状多晶体，放入单晶炉 ，两端固定，注意不要使多晶棒与炉 壁接触，这样，棒四周就是气体气氛 。然后用高频线圈加热，使多晶棒的 很窄一段变为熔体，转动并移动多晶 棒，使熔体向一个方向缓慢移动，如 果重复多次。由于杂质在熔融态中的 浓度远大于在晶态中的浓度，所以杂 质将集中到棒的一端，然后被截断弃 去。同时，经过这种熔炼的过程，多 晶棒转变为单晶棒。 s l 目标物质 杂质 加热 在半导体上十分有用的单晶硅、砷化镓就是通过这种 方法获得的