§6.1MOS物理学 例6.3，有-个nFET,它的yom=0.70V,y=0.08V2,2pp=0.58V。 阈值电压与体偏置电压'的关系为 Vm=0.70+0.08(V0.58+V-V0.58) VSBn(V) Vin(V) Vm 0 0.70 1.0 1 0.74 2 0.77 0.5 3 0.79 0 VSBn Figure 6.16 Body-bias effect 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 §6.2nFET电流一电压方程 NMOS结构细节 Gate n+ n+ Gate Source. Gate oxide Source Drain 之←Drain -HL p-substrate -Bulk electrode (a)Side view (b)Top view Figure 6.8 Details of the nFET structure 注：本章讨论中所用的W和L值是从电气上考虑的尺寸即 “有效”值，不是版图设计时所画的尺寸。 L=L'-△L W=W-△W 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 122018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 11 3 0.79 2 0.77 1 0.74 0 0.70 VTn V (V) SBn(V) 0.70 0.08( 0.58 0.58) 6.3 nFET, 0.70V, 0.08V ,2 0.58V 1 2 0 = + + − = = = Tn SBn SBn T n F V V V V 阈值电压与体偏置电压 的关系为 例 ，有一个 它的 γ φ 。 §6.1 MOS物理学 2018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 12 §6.2 nFET电流—电压方程 NMOS结构细节 注：本章讨论中所用的W和L值是从电气上考虑的尺寸即 “有效”值，不是版图设计时所画的尺寸。 L = L'−ΔL W = W '−ΔW