§6.1MOS物理学 例：已知T=300K,N。=105/cm3,tox=50A=50×10-8cm,'FB=-0.85V, D,=4×102/cm2,求' 解： k灯=0.026V C-Ea=39x8854x10-4 50x10-8 —=0.69×106F/em2 24,|=2×7x1n-=2x0026xIn 105 q 1.45x1010=0.579V 1 q6N,D 01 0.69×10×v2x16x10-x1.8x8854×10“x105x0.579=0.02V 1 9D=1.6×1019×4×102 =0.928V Cox 0.69×10-6 Vm=0.02+0.579-0.85+0.928=0.677V 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 §6.1MOS物理学 19 §6.2.2体偏置效应 当源和体（衬底）之间存在Vsm>0时 Vm VTon +r(210F 1+VsBn -v21 0FD) G 体偏置系数：y-2g5,单位vVN VSBn B 体偏置效应使阈值电压增大！ Bulk (substrate) Figure 6.15 Bulk electrode and body-bias voltage 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 102018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 9 §6.1 MOS物理学 求 。 例：已知 I Tn a ox FB D V T N t V 4 10 / cm , 300K, 10 / cm , 50A 50 10 cm, 0.85V, 12 2 15 3 8 = × = = = = × = − − o 解： = 0.026V q kT 0.579V 1.45 10 10 2 2 ln 2 0.026 ln 10 15 = × = × × = × × i a F n N q kT φ 6 2 8 14 0.69 10 F/cm 50 10 3.9 8.854 10 − − − = × × × × = = ox ox ox t C ε 2 1.6 10 11.8 8.854 10 10 0.579 0.02V 0.69 10 1 2 (2 | |) 1 19 14 15 6 × × × × × × × × = × = − − − Si a F ox q N C ε φ 0.928V 0.69 10 1.6 10 4 10 6 19 12 = × × × × = − − ox I C qD VTn = 0.02 + 0.579 − 0.85+ 0.928 = 0.677V 2018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 10 §6.2.2 体偏置效应 当源和体（衬底）之间存在VSBn>0时 ( 2 | | 2 | |) VTn VT 0n φ F VSBn φ F = + γ + − V 2 体偏置系数： ，单位 ox Si a C qε N γ = 体偏置效应使阈值电压增大！ §6.1 MOS物理学