第章存储器和可编程逻辑器件 图9-2是具有两位地址输入和四位数据输出的ROM结构 图,其存储单元用二极管构成。图中,W~W3四条字线分 别选择存储矩阵中的四个字,每个字存放四位信息。制作 芯片时,若在某个字中的某一位存入“1〃,则在该字的字 线W与位线D之间接入二极管,反之,就不接二极管。 读出数据时,首先输入地址码,并对输出缓冲器实现三 态控制,则在数据输出端D3~D可以获得该地址对应字中所 存储的数据。例如,当A1A=00时,W=1,W1=W2=W3=0, 即此时W被选中,读出W对应字中的数据D3D2D1D=1001。 同理,当A1A分别为01、10、11时,依次读出各对应字中的 数据分别为0111、1110、0101。因此,该ROM全部地址内 所存储的数据可用表9-1表示第9章 存储器和可编程逻辑器件 图9-2 是具有两位地址输入和四位数据输出的ROM结构 图， 其存储单元用二极管构成。图中，W0~W3四条字线分 别选择存储矩阵中的四个字，每个字存放四位信息。制作 芯片时，若在某个字中的某一位存入“1” ，则在该字的字 线Wi与位线Di之间接入二极管，反之，就不接二极管。 读出数据时，首先输入地址码，并对输出缓冲器实现三 态控制，则在数据输出端D3~D0可以获得该地址对应字中所 存储的数据。例如，当A1A0 =00时，W0 =1，W1 =W2 =W3 =0， 即此时W0被选中，读出W0对应字中的数据D3D2D1D0 =1001。 同理，当A1A0分别为01、10、11时，依次读出各对应字中的 数据分别为 0111、1110、0101。因此，该ROM全部地址内 所存储的数据可用表 9-1 表示