的LMM俄歇能量发生了位移[见图7.4.3(b)],特征峰相应地变为540、587及636eV, 这是由于原子状态不同引起的俄歇电子峰位移 2.当俄歇跃迁涉及到价电子能带 时,情况就复杂了,这时俄歇电子位 移和原子的化学环境就不存在简单的 关系,不仅峰的位置会变化,而且峰 的形状也会变化。这种由价电子跃迁 造成的俄歇峰的形状变化反映了价带 中状态密度的重新分布。如图7.4.3 所示,在纯Mn中40eV处出现的 MT单峰,在充分氧化的Mn谱中变 成了35eV和46eV处的双峰。又例如 Mo2C、SC、石墨和金刚石中碳的 石墨 KLL(或KV)俄歇谱(见图7.4.4), 壳层电子的杂化作用以及随之而来的 跃迁几率密度的变化,被认为是峰形 不同的原因 3.能量损失机理导致的变化将改 金刚石 变俄歇峰低能侧的拖尾峰 俄歇谱通常包含了以上两种或全 部可能的化学效应并且很难被区分 因此,虽然俄歇谱包含着丰富的化学 电子能量,eV 信息,如有关表面化学状态的信息, 7.4.4Mo2C、SiC、石墨和金刚石中 但由于俄歇电子位移机理比较复杂 碳的KV俄歇电子谱 涉及到三个能级,不象X射线光电子 能谱那样容易识别和分析,并且通常使用的俄歇谱仪分辨率较低,这方面的应用受到了很 大的限制。如采用髙分辨的俄歇谱仪,将使我们可获取并利用俄歇谱丰富的化学信息。的 LMM 俄歇能量发生了位移[见图 7.4.3（b）]，特征峰相应地变为 540、587 及 636eV ， 这是由于原子状态不同引起的俄歇电子峰位移。 2．当俄歇跃迁涉及到价电子能带 时，情况就复杂了，这时俄歇电子位 移和原子的化学环境就不存在简单的 关系，不仅峰的位置会变化，而且峰 的形状也会变化。这种由价电子跃迁 造成的俄歇峰的形状变化反映了价带 中状态密度的重新分布。如图 7.4.3 所示，在纯 Mn 中 40eV 处出现的 MVV 单峰，在充分氧化的 Mn 谱中变 成了 35eV 和 46eV 处的双峰。又例如 Mo2C、SiC 、石墨和金刚石中碳的 KLL （或 KVV ）俄歇谱（见图7.4.4）， 壳层电子的杂化作用以及随之而来的 跃迁几率密度的变化，被认为是峰形 不同的原因。 3．能量损失机理导致的变化将改 变俄歇峰低能侧的拖尾峰。 俄歇谱通常包含了以上两种或全 部可能的化学效应并且很难被区分， 因此，虽然俄歇谱包含着丰富的化学 信息，如有关表面化学状态的信息， 但由于俄歇电子位移机理比较复杂， 涉及到三个能级，不象 X 射线光电子 能谱那样容易识别和分析，并且通常使用的俄歇谱仪分辨率较低，这方面的应用受到了很 大的限制。如采用高分辨的俄歇谱仪，将使我们可获取并利用俄歇谱丰富的化学信息。 石墨 金刚石 电子能量，eV 图7.4.4 Mo2C、SiC、石墨和金刚石中 碳的KVV俄歇电子谱