1132半导体中的光发射 半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体 PN结加有正向电压时,使势垒下降,发生“载流子注 入”。这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将发生复 从而发射出某种波长的光子。由于电子与空穴复合即 表示电子从导带落入价带。从而光子能量基本等于禁带宽 度 hc1.2398 (um/ev) eg eg a自发辐射:光发射时有半导体中电子和空穴的自发复合 产生的,自发辐射光不具有单一波长。 半导体发光二极管(LED)的发光就基于此。◼ 半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体 PN结加有正向电压时，使势垒下降，发生“载流子注 入”。这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将发生复 合，从而发射出某种波长的光子。由于电子与空穴复合即 表示电子从导带落入价带。从而光子能量基本等于禁带宽 度。 (11.2) ( / ) 1.2398  m e Eg Eg hc = = 11.3.2半导体中的光发射 ◼自发辐射:光发射时有半导体中电子和空穴的自发复合 产生的，自发辐射光不具有单一波长。 半导体发光二极管（LED）的发光就基于此