LED的伏安特性 LED的正向伏安特性与普通二极管 120 大致相同,如右图所示: 100 80 LED正向开启后其正向电流与电压1 u的关系是 K:玻尔兹 40 eu i=lo ex 曼常数 mkTg 1.0 M:复合因子 Ga4-PLED的伏安特性图 在宽禁带半导体中,当<01mA时,复合的空间电流起主要作用, 此时m=2,电流增大,扩散电流占优势时m=1 开启电压与材料有关,对于GaAs是10 y GaAs1PGa1-x11As 大致是15V;发红光的GaP是18V,发绿光的GaP是20V,反向 击穿电压一般都在5V以上。LED的伏安特性 GaAs P 1−x x LED的伏安特性图 LED的正向伏安特性与普通二极管 大致相同，如右图所示： LED正向开启后其正向电流i与电压 u的关系是 0 exp eu i I mkT   =     M：复合因子 K：玻尔兹 曼常数 在宽禁带半导体中，当i<0.1mA时，复合的空间电流起主要作用， 此时m＝2，电流增大，扩散电流占优势时m＝1 开启电压与材料有关，对于GaAs是1.0V 、 大致是1.5V；发红光的GaP是1.8V，发绿光的GaP是2.0V，反向 击穿电压一般都在-5V以上。 GaAs P 1−x x Ga Al As 1−x x