亮度与电流的关系 在自发辐射情况下,若复合区载流子辐射寿命和注入载流子 浓度无关,则亮度L应与扩散电流成正比即: L∝ 但由于存在非辐射复合以及隧道电流,亮度与电流的关系 般为: L∝ 在低电流密度下,m=1.3~1.5;在高电流密度下,扩散电 流起支配作用,m=1。 ia4-xP、Oa-x1l4s和发绿光的GaP亮度在高电流密度下仍 近似地正比于电流密度地增加,不易饱和,适用于脉冲下使用。亮度与电流的关系 在自发辐射情况下，若复合区载流子辐射寿命和注入载流子 浓度无关，则亮度L应与扩散电流 i d 成正比即： L i  d 但由于存在非辐射复合以及隧道电流，亮度与电流的关系一 般为： m L i  d 在低电流密度下，m＝1.3～1.5；在高 电流密度下，扩散电 流起支配作用，m＝1。 GaAs P 1−x x 、 Ga Al As 1−x x 和发绿光的GaP亮度在高电流密度下仍 近似地正比于电流密度地增加，不易饱和，适用于脉冲下使用