〔6)，FeBCSi比FeBC稳定，损耗也低三倍(7)。但K,Arai(8)等人研究了Fe6Co,oSi1s B:非晶的损耗，并进行损耗分离，得出的结论是后效很小，涡流损耗占绝对优势，并测量 了不同温度下的导磁率减落，对FesCo7Si1sB:合金在70℃下的减落值最大，在180℃以 上未观察到减落。 本文对FesCo,Si1sB1。、Fe4oNi4oP14B。、(Feo.1Ni。.3sCog.55)7 eSi:B14 非晶在不同状态下的损耗进行了测量，并进行损耗分离，与1J,,晶态坡莫合金的损耗数据作 了对比，对结果进行了分析和讨论。 实验方法和样品制备 本实验所用样品是双辊法制备的非晶带，带厚30~40微米，宽为3~4毫米。选取样品约 ·2克，用Mgo涂层后卷成环状试样。磁损耗的测量是在海氏电桥上进行的。测试频率范围为 400~10千赫，磁感范围为1000~7000高斯。热处理是在氢气保护气氛下进行，以防氧化。 Fe,Co,oSi1。B:。的纵向热处理制度为：375℃，保温2小时，同时加直流磁场50奥。Fe4o Ni4。P1,B。的热处理制度为：325℃，保温2小时，加直流磁场50奥斯特 实验结果及讨论 1,损耗分离的根据： 在本实验条件下（强场、音频），显然Lgg公式已不再适用，因为该公式仅适用于高 频、弱场(B<100高斯。K.I.Arai〔8)曾在高频弱场下对FesCo,Si1sB:非晶损耗进行 分离，认为剩余损耗对所占比例很小。在本实验条件下，我们假定剩余损耗小，可以忽略不 计。这样总损耗主要由磁滞及涡流损耗两大部分组成，可用下式描述： P=nf+ξf2 (1) 式中门一磁滞损耗系数， ξ一涡流损耗系数。 实验得出的P/f~「曲线在一定频段下基本成线性关系，如图1所示。由这一事实出发， 依照(1)式，进行损耗分离。用作图的方法可以求出不同f和Bm下的n与专，根据P/f~f曲线 的直线部分，把f外推到零，得到的纵轴截矩即为直流损耗。在文献〔9)中，Bozorth指出 (1)式一般适用于强场(1000~15000高斯)低频(100赫芝以下)。然而，只要符合下述条 ,件，即是由于涡流的屏蔽效应引起样品中心与表层磁通的位相差不太大时，(1)式仍可适用。 因为在此条件下涡流损耗仍正比于B2,f。为了检验(1)式是否适用于本实验条件，我们计 算了非晶在10千赫下的趋肤深度。趋肤深度如下式计算： d=508V (米) (2) 式中 ds一一样品的趋肤深度，米， μ一导磁率，高/奥， p一样品的电阻率，欧姆·米。 Fe。Co,Si16B1的电阻率p=157微欧·厘米，4=203高/奥，f=10千赫。以此代入(2)式 经计算得到d,≈0.014/厘米，样品两边的趋趺深度为0.028毫米，即大体相当于样品的厚度 56〔 〕 ， 比 稳定 ， 损耗也低三 倍〔 〕 。 但 〔 〕等人研究 了 。 。 ，。 非晶 的损耗 ， 并进 行损耗 分 离 ， 得 出的结论是 后 效很 小 ， 涡流损耗 占绝 对 优 势 ， 并测 量 了不 同温度下 的导磁 率减落 ， 对 。 。 了 。 。 。 合 金在 ℃下 的减 落值最 大 ， 在 。 ℃ 以 上未观察到减落 。 本 文对 。 。 。 ， 。 、 。 ‘ 。 ，‘ 。 、 。 。 。 。 。 ， 。 。 ‘ 非晶在不 同状 态下 的损耗 进 行 了测量 ， 并进 行损耗 分 离 ， 与 ， 。 晶态坡莫合 金的损耗数据作 了对 比 ， 对 结果进 行 了分析和 讨论 。 实验 方 法 和 样 品制备 本实验所 用样 品是 双辊法制 备的非 晶带 ， 带 厚 。 微米 ， 宽郁 毫米 。 选取样品约 克 ， 用 。 涂层后 卷成环状 试样 。 磁损耗 的测量是 在 海氏 电桥上进 行 的 。 测 试频率 范围为 。 千赫 ， 磁 感范围为 。 。 高斯 。 热处理是在氢 气保护 气氛 下进行 ， 以 防氧化 。 声 。 ， 。 。 ， 。 的纵 向热 处理 制度为 ℃ ， 保 温 小时 ， 同时加 直流 磁场 奥 。 ‘ 。 ‘ 。 ， ‘ 。 的热 处理 制度为 ℃ ， 保 温 小时 ， ’ 加 直流磁场 奥斯特 实验 结果 及 讨论 损耗分离 的根据 在本实验 条件 下 强场 、 音频 ， 显然 七 弓公 式 已 不 再适 用 ， 因 为 该公式 仅适用 于 高 频 ‘ 弱场 高斯 。 〔 曾在 高频弱 场下对 。 ， 。 ， 。 ， 。 非晶损 耗进 行 分 离 ， 认 为剩 余损 耗对所 占比例很小 。 在 本实验条件下 ， 我 们假定剩 余损 耗小 ， 可 以 忽 略不 计 。 这 样总损 耗主 要 由磁滞 及 涡流 损 耗两 大 部分组 成 ， 可用 下式 描述 月 七 式 中 月－ 磁滞 损耗系数 ， 七－ 涡流 损 耗系数 。 实验得 出的 曲线 在一定频 段 下基本 成线性关系 ， 如 图 所示 。 由这一事实出发 ， 依照 式 ， 进 行损耗 分 离 。 用 作图的方法可 以 求出不 同 和 二 下 的月与 七 ， 根据 曲线 的直线部分 ， 把 外推 到零 ， 得 到的纵轴截 矩即为直 流损耗 。 在 文 献 〔的 中 ， 。 指 出 式一般适 用 于 强场 高斯 低 频 赫芝 以 下 。 然而 ， 只要 符 合下述 条 件 ， 即 是由于 涡流 的屏蔽效应 引起样品 中心 与表层 磁通的位 相差不太大 时 ， 式仍可适用 。 因为在此 条件下 涡流 损耗 仍正 比 于 “ · “ 。 为了检验 式 是否适 用 于本实验条 件 ， 我们计 算了非晶在 千赫 下 的趋肤深度 。 趋肤 深度如 下式 计算 “ ” 丫 一 介 ‘米， 式 中 － 样 品的趋肤 深度 ， 米 件－ 导 磁率 ， 高 奥， － 样品 的 电阻率 ， 欧姆 · 米 。 。 。 。 ， 。 的 电阻 率 微 欧 一 厘 米 卜 高 奥， 千赫 。 以 此 代入 式 经计算 得到 、 厘米 ， 样 品两边 的趋 扶深度 为 毫米 ， 即大体相 当于样品 的厚 度