由于9111的贡献仍较强，故9111的波纹图仍可见，但93i,的波纹图是更清晰的，而且与 gsi1相垂直。 2.5VC/y界面 图4是VCBF象和VC/y波纹图。在细小的VC颗粒周围，显示出清晰的环形应变场 衬度。 .3讨 论 Beckitt和Clark【2]也普观察到板条状M2,C。沿长度方向两侧界面排布的一组条纹，他 们未予解释。Singhal和Martin【3】曾推测他们所观察到的沿M23C。长度方向上两侧界面 出现的点状村度，可能是平行于电子束方向的界面位错，并假定其b=a/2<110>Y。但是， 我们根据该文中给定的M23C。和基体的点阵参数，点阵错配度8=-0.0137计算得出该界面 错配位错的间距却远小于其实测值，Pumphrey和Edington【4I则认为M2Cg/y界面上的点状 衬度是b=a/3<111>y的错配位错，但又说不能用象消失法来确定位错的Burgers Vectors。 另外他们对晶界M23C。的波纹图中条纹与相应的工作倒矢量不正交的讨论也比较勉强。因 为晶界的M23C。总是与一侧的基体有平行取向关系，而所给出的照片上，并非所有的M23C。 的波纹图都不与工作倒矢量正交，那些不正交的波纹图条纹很可能是取向相近的另一晶粒的 某个g的贡献。 本研究中图3M2sC。长度方向平行于<100>Y,该方向M23C。与y基体界面点阵错配 度为： =2(88;）=2(0:8-8) =-0.017 (1) (I)式中8是错配度，ap是沉淀相M23C。的点阵参数，a,是基体y的点阵参数。 实际测量的界面错配位错平均间距为10m,这相当于每28个基体阵点便引进了一根位错。 而按8=-0.017计算，在M23C。/y界面上每28个基体阵点在<100>方向与M23C。阵点 的错配总量导致点阵畸变量约为1.7A,这和引入a/2<110>y位错后引起的基体点阵平移 1.256A这个数值是非常接近的。至于91ī！的BF象中位错线消失后仍出现点状衬度（一般 认为是平行电子束方向的位错线)，可能和平行于电子束方向的界面处存在某种特殊的位错 组态有关。对此还应进一步观察和分析。另外，为了正确地识别M2C。的界面位错，并使 用g,b=O判据确定Burgers Vectors,建议在样品较厚区域进行观察。而区别位错和波纹 图，主要依靠条纹走向与9的关系和条纹间距，参见图3、图4。 VC/y界面由于两相点阵错配度大， d-2(8+0,）=2(像：18+8：) =0.155 以致VC的共格析出，将引起周围基体很大的点阵畸变，使界面附近存在可观的应变场，见 图4(b)。这种弥散分布于合金基体内的几nm至十几nm的VC颗粒本身很硬，位错不能切过， 只能采用Orowan机制绕过，而且要受到VC周围应力场的阻碍作用，这就是VC沉淀强化 的主要机制。但是由于VC界面点阵错配度大，界面能量高，因此是不稳定的。当VC尺寸 过大时，这种共格关系可能破坏，这就是要避免强化相VC过时效的原因。 43B由于 的贡献仍较强 ， 故 的波纹 图仍可见 ， 但 。 ， 的波纹图是更清晰的 ， 而且 与 认 相垂直 。 界面 图 是 象和 波纹 图 。 在细小的 颗粒周围 ， 显示 出清晰的环形 应变 场 衬乙度 讨 论 和 【艺’ 也曾观察到板 条状 。 沿长度方向两侧界面排布的 一组条纹 ，他 们未予解释 。 和 〔 ’ 曾推测他们所观 察到的沿 长度方向上两 侧 界 面 出现的点状衬度 ， 可能是平行于 电子 束方 向的界面位错 ， 并假定其 二 。 。 但是 ， 我们根据该文 中给定 的 。 和 基体的点阵参数 ， 点阵错配度 占 一 。 计算得出该界面 错配位错的 间距却远小于其实测值 。 和 〔 ‘ ’ 则认 为 。 界面上 的点状 衬度是了 。 邝 ，的错配位错 ， 但又说不 能 用象消 失法 来确定位错的 。 。 另外他 们 对晶界 。 的 波纹图中条纹 与相 应的 工作倒矢 量不 正交的 讨论也 比较 勉 强 。 因 为晶界的 。 总是与一侧 的基体有平行取向关 系 ， 而 所给 出的照 片上 ，并非所 有的 。 的波纹图都不 与工作倒矢 量正交 ， 那些 不正交的波纹 图条纹很可 能是取向相近的另一晶粒的 某个 的贡献 。 本研究中图 。 长度方向平行于 。 ， 该方向 。 与 ，基体界面点阵错配 度为 “ 一 ， ， ， 一 。 一 。 式 中 占是错配 度 ， 是沉淀相 。 的点 阵参数 ， 。 ， 是 基体 的点阵参数 。 实际测量的界面错配位错平均间距 为 ， 这 相 当于每 个基体阵点 便引进 了一根位错 。 而 按 占 一 。 计算 ， 在 。 护 界面上 每 个基体阵点在 方 向与 ， 。 阵点 的 错配 总量导致点阵畸变量约 为 入 ， 这和引 入 。 丫 位错后引起 的 基体点阵平移 入这个数值是非常接 近的 。 至于 了 的 象 中位错 线消失后仍 出现点状衬度 一般 认 为是 平行电子 束方 向的位错线 ， 可 能和 平行于 电子 束方向的 界面 处存在某种特殊的位错 组 态有关 。 对此还应进一步观察和 分析 。 另外 ， 为了正确地识别 。 的界面位 错 ， 并 使 用了了 。 判据确定 ， 建 议在样品 较厚 区域进行观 察 。 而 区别位错和波 纹 图 ， 主要 依靠条纹走向与 的关 系和条纹 间距 ， 参见 图 、 图峨 。 夕 界面由于两相点阵错配度大 ， ‘ 二 一 ， ， 。 一 。 。 。 二 。 以致 的共格析出 ， 将引起周围基体很大 的点阵畸变 ， 使界面附近存在可观 的 应变 场 ， 见 图 。 这种弥散分布于合金 基体内的几 至十几 的 颗粒 本身很硬 ， 位错不能切过 ， 只能采用 。 机制绕过 ， 而且要受到 周围应力场的阻 碍作用 ， 这就是 沉淀强 化 的主要机制 。 但是 由于 界面点阵错配度大 ， 界面能量高 ， 因此 是不稳定 的 。 当 尺寸 过大时 ， 这 种共格关 系可能破坏 ， 这就是要避免强化相 过时效的原因