室温下： 电介质的电阻率p三108-10欧·米 半导体p≈105~106 金属导体p≈10*~10 二.极化强度矢量P 1.△y中有∑P: 定义： 要 单位：库仑/米2 (单位体积内的电矩矢量和) 2。束缚电荷的分布与极化强度矢量的关系 设柱内极化是均匀的，△V很小，两底面出现的束缚（极化）电荷 面密度分别是+σ，-σ则整个斜柱体相当于一个偶极子，电矩为： ql-o'△S7；即：∑D=o△S7；△V=△S7cos8 按定义： 以②A。室温下： 电介质的电阻率 8 18  10 ~10 欧 • 米 半导体 5 6 10 ~10 −   金属导体 8 6 10 ~10 − −   二．极化强度矢量 P  1． V 中有 P分子  定义： V P P  =  分子   单位：库仑/米 2 (单位体积内的电矩矢量和) 2. 束缚电荷的分布与极化强度矢量的关系 设柱内极化是均匀的， V 很小，两底面出现的束缚（极化）电荷 面密度分别是 ' ' + ,− 则整个斜柱体相当于一个偶极子，电矩为： ql Sl   =  '  ；即： p = Sl   '  ； V = Sl cos 按定义：   cos ' =  =  V p p  