()发射区向基区扩散电子→发射极电流！E ◆J正偏→发射区的电子向 基区扩散，并不断从电源补 N 充电子→形成扩散电流IE。 ◆同时基区的空穴向 b 发射区扩散→形成 电流Ep VBB 因基区薄且掺杂浓度 很低IEp<EN→发射极电流IE≈IN。 N N P V BB VCC Rb R C e b c (1) 发射区向基区扩散电子发射极电流I E IEN EP I IE ◆ 因基区薄且掺杂浓度 很低IEP IEN 发射极电流I E≈I EN 。 ◆ 同时基区的空穴向 发射区扩散形成 电流IEP . ◆ Je正偏  发射区的电子向 基区扩散, 并不断从电源补 充电子形成扩散电流IEN