超结MOSFET 4.9节WOSFET发展方向 1998年，我校陈星弼院士提出超结(Super junction)结构，该发明被称为 “功率器件的新里程碑”。 Source Gate Source Gate n+ “一维” 变“二维” n+ nt Driftregion n-Driftregion n十 传统功率MOSFET 超结MOSFET Ron×AcBV2.5 “硅限” Ron×AcBV1.321998年，我校陈星弼院士提出超结(Super junction)结构，该发明被称为 “功率器件的新里程碑” 。 传统功率MOSFET 超结MOSFET “一维” 变“二维” “硅极限” 4.9节 MOSFET发展方向