More than Moore 4.9节WOSFET发展方向 新结构、新原理器件 新型半导体材料 。与其它领域结合 （如MEMS、DNA芯片等) D (+)G ON Ev. Positive Gate Bias Band-to-band Drain tunneling i OFF -7 mm substrate Band gap blocks Drain tunnel current 100m 40μm 20 um un 基于带带隧穿机制的TFET 碳纳米晶体管3 4.9节 MOSFET发展方向 n 新结构、新原理器件 n 新型半导体材料 n 与其它领域结合（如MEMS、DNA芯片等） 基于带带隧穿机制的TFET 碳纳米晶体管