表示:CVD形成薄膜时所利用的化学反应及其在IC中的功能 淀积物名称」利用的化学反应 用途 SiO 4 扩散或离子注入掩膜、多层布 SIH4+ 20 S102+2H2o 线介质、 MOSIC的场氧化增厚层、 sCH2+210k2+2N2+2HC湿法腐蚀s3N4的掩膜、固态掺杂 75c (PSG Si(OC:2H94Si02+2H,0+CXHy BSC) C (2PH2+4022O3+3H2O) (B2Hk+30 祁22+3H2O poly-SISiHa C 浅结器件的欧姆接触材料、 i+2H2 Ms管栅极及互连。 SiN4 ngoc 等平面氧化掩膜、Mos管栅 3S1H,+4N 加N,+12H 价质。如采用等离子体cvD,其 反应温度<350%,可作最后钝化 膜用。 M TO-1000'c 2M.C1 +5H →2M+10HC1 Mos管栅极才料及互连线。 Mos管栅极才料及互连线。 WF6+3H2-*+6HF