§2.2两级运放的性能参数与约束分析[4] 这一节将根据二级运放的结构，分析各性能参数以及约束条件。其目的主 要在于为下面的设计服务，CMOS运放电路的一般设计方法便是根据以下条件来 确定的。 设B=uCox 单管的跨导为g。=√2B1,此I4为该单管的漏端电流。 一、几何规则的约束 1、对称及匹配性： W1=W: W3=W4 L5=L7=L8 L=L: L3=L4 2、器件尺寸的约束：（共存在32个约束条件） 光刻工艺最小尺寸的限制及版图规则的约束为MOS管的尺寸定下了最大/最 小原则 Lmm≤L,≤Lm Wmin≤Wi≤Wmax 3、面积： A=ao+a,Cc+a∑WL 4、失调电压V V由两部分组成：一是输入差分对管M1、M2本身的失调： 二是有源负载M3、M4失配的影响。 1)差分对管： 差分对管的V定义为：当M1、M2的Ia=I时，由于M1、M2参数不相等 (主要是由于V,、B不相等)是引起的V电压差值。8 §2.2 两级运放的性能参数与约束分析[4] 这一节将根据二级运放的结构，分析各性能参数以及约束条件。其目的主 要在于为下面的设计服务，CMOS 运放电路的一般设计方法便是根据以下条件来 确定的。 设 W Cox L β µ   =    ，单管的跨导为 g I m d = 2β ，此 d I 为该单管的漏端电流。 一、几何规则的约束 1、对称及匹配性： 1 2 1 2 W W L L = = 3 4 3 4 W W L L = = LLL 578 = = 2、器件尺寸的约束：（共存在 32 个约束条件） 光刻工艺最小尺寸的限制及版图规则的约束为 MOS 管的尺寸定下了最大/最 小原则 L LL min max ≤ ≤i W Wi W min max ≤ ≤ 3、面积： 01 2 8 1 C ii i A C WL αα α = =+ + ∑ 4、失调电压Vos Vos 由两部分组成：一是输入差分对管 M1、M2 本身的失调； 二是有源负载 M3、M4 失配的影响。 1）差分对管： 差分对管的Vos 定义为：当 M1、M2 的 Id d 1 2 = I 时，由于 M1、M2 参数不相等 （主要是由于VT 、β 不相等）是引起的Vgs 电压差值