对计算机辅助设计和分析电路的结果都有很大的影响，它关系到设计值与实际值 是否一致，因此，对于MOS场效应管模型的研究正在广泛地开展并且逐步地深入， 电路模拟中所用的场效应管模型也在不断地修正。 SPICE是电路模拟中应用最广泛的一种计算机电路分析程序，它提供了三种 MOSFET管模型，MOS1是由平方律Ios-Vos特性描述地Shichman-Hodges(9)模型。 在此仅介绍MOS1模型，因为这种模型比较简单，具有一定的精度，因此在MOS 集成电路的设计中被广泛采用。 而在本论文中，使用GPCAD方法进行优化，于是将使用GPI模型，主要包括 如下性能定义： ·过驱动电压，即Vgs-Vt(Voverride),为关于晶体管的宽长比以及晶体管 漏级电流Id的单项式。 以公式表示，为 ·晶体管跨导gm为关于晶体管的宽长比以及晶体管漏级电流Id的单项式。 以公式表示，为 ·输出导纳g。-αg。m。其中g。m为关于晶体管的宽长比以及晶体管漏级电 流Id的单项式。a为常数，即沟道调制因子。以公式表示，为8。=后° 1 α通常有两个典型值，实际取值须根据晶体管工作的漏源电压'的大小 决定。 ·晶体管的分布电容为关于晶体管的宽长比以及晶体管漏级电流Id的多项 式。 由上面的性能定义，可以知道：GP1模型和传统长沟道MOS晶体管模型 HSPICE中的LEVEL1模型致。通过简单的曲线拟合技术，发现GP1模型和HSPICE 中使用的较高的模型(BSIM1模型)仍然可以比较吻合，误差不至于过大。 但是当器件发展到了亚微米阶段，在本优化方法中将使用具有更为准确的经 验模型参数值组成的GP2模型。7 对计算机辅助设计和分析电路的结果都有很大的影响，它关系到设计值与实际值 是否一致，因此，对于 MOS 场效应管模型的研究正在广泛地开展并且逐步地深入， 电路模拟中所用的场效应管模型也在不断地修正。 SPICE 是电路模拟中应用最广泛的一种计算机电路分析程序，它提供了三种 MOSFET 管模型，MOS1 是由平方律 DS DS I −V 特性描述地 Shichman-Hodges(9)模型。 在此仅介绍 MOS1 模型，因为这种模型比较简单，具有一定的精度，因此在 MOS 集成电路的设计中被广泛采用。 而在本论文中，使用 GPCAD 方法进行优化，于是将使用 GP1 模型，主要包括 如下性能定义： ·过驱动电压,即 Vgs-Vt（Voverride），为关于晶体管的宽长比以及晶体管 漏级电流 Id 的单项式。 以公式表示，为 ( ) 1 2 2 d ox gs t W I C VV L = − µ 。 ·晶体管跨导 m g 为关于晶体管的宽长比以及晶体管漏级电流 Id 的单项式。 以公式表示，为 2 m ox d W g CI L = µ ·输出导纳 o om, g g =α 。其中 o m, g 为关于晶体管的宽长比以及晶体管漏级电 流 Id 的单项式。α 为常数，即沟道调制因子。以公式表示，为 , 1 o m g Id = 。 α 通常有两个典型值，实际取值须根据晶体管工作的漏源电压Vds 的大小 决定。 ·晶体管的分布电容为关于晶体管的宽长比以及晶体管漏级电流 Id 的多项 式。 由上面的性能定义，可以知道：GP1 模型和传统长沟道 MOS 晶体管模型—— HSPICE 中的 LEVEL1 模型致。通过简单的曲线拟合技术，发现 GP1 模型和 HSPICE 中使用的较高的模型（BSIM1 模型）仍然可以比较吻合，误差不至于过大。 但是当器件发展到了亚微米阶段，在本优化方法中将使用具有更为准确的经 验模型参数值组成的 GP2 模型