2.离子选择性电极的种类和结构 3.晶体膜电极 导线 结构：（氟电极） 电极杆 敏感膜：（氟化镧单晶）：掺有EuF2的LaF3单晶切片； 内参此电极 (Ag-AgC1) 内参比电极：管内的Ag-AgC1电极。 管比湾湾 内参比溶液：0.1mol/九的NaC1和0,10.01mol/九的NaF 混合溶液(F用来控制膜内表面的电势，C1用以固定 内参比电极的电势)。 霏修额 原理：LDaF,的晶格中有空穴，在晶格上的F可以移入晶格邻近的空穴而导 电，对于一定的晶体膜，离子的大小、形状和电荷决定其是否能够进入 晶体膜内，故膜电极二般都具有较高的离子选择性。 当氟电极插入到含有F的溶液中时，F在晶体膜表面进行交换，如果 溶液中的F活度较高，则溶液中的F进入晶体。反之，晶体表面的F进入 溶液。由此产生的膜电势与溶液中的℉活度的关系，在一定范围内可以用 奈斯特方程来表示。25℃时： φ膜=K-0.0591gap=K+0.059pF 具有较高的选择性，需要在pH57之间使用，pH高时，溶液中的 O什与氟化镧晶体膜中的F交换，pH较低时，溶液中的F生成F或HF 2.离子选择性电极的种类和结构 3.晶体膜电极 结构:（氟电极） 敏感膜：（氟化镧单晶）：掺有EuF2 的LaF3单晶切片； 内参比电极：管内的Ag-AgCl电极。 内参比溶液：0.1mol/L的NaCl和0.10.01mol/L的NaF 混合溶液（F -用来控制膜内表面的电势，Cl-用以固定 内参比电极的电势）。 原理: LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的F -可以移入晶格邻近的空穴而导 电，对于一定的晶体膜，离子的大小、形状和电荷决定其是否能够进入 晶体膜内，故膜电极一般都具有较高的离子选择性。 当氟电极插入到含有F -的溶液中时，F -在晶体膜表面进行交换，如果 溶液中的F -活度较高，则溶液中的F -进入晶体。反之，晶体表面的F -进入 溶液。由此产生的膜电势与溶液中的F -活度的关系，在一定范围内可以用 奈斯特方程来表示。25℃时： 膜 = K-0.059lgaF - = K+0.059pF 具有较高的选择性，需要在pH5～7之间使用，pH高时，溶液中的 OH-与氟化镧晶体膜中的F-交换，pH较低时，溶液中的F -生成HF或HF2 -