3.2绝缘栅场效应管( MOSFET) MOS场效应管有增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两大类,每一类又有 N沟道和P沟道两种导电类型,其电路符号如下所示: P沟道增强型 N沟道增强型N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 N沟道增强型: 1、工作原理:原理与JFET类似,L的正向受控作用同样是通过改变漏源 间的导电沟道的导电能力来实现的,差别在于沟道形成的原理不同,其 结构示意图如下 源极栅极漏极 P3. 2 绝缘栅场效应管（MOSFET） MOS场效应管有增强型（E MOS）和耗尽型（D MOS）两大类，每一类又有 N沟道和P沟道两种导电类型，其电路符号如下所示： 一、N沟道增强型： 1、工作原理：原理与JFET类似，ID的正向受控作用同样是通过改变漏源 间的导电沟道的导电能力来实现的，差别在于沟道形成的原理不同，其 结构示意图如下： P沟道增强型 N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 P 源极 栅极 漏极 SiO2 衬底 P + N N P + N N P VGS VDS