。586 北京科技大学学报 1997年第5期 5min,然后加热蒸发器，使温度上升到920℃左右，保温再逐淅加温，最高温度可达1000℃， 保温直至蒸发完毕，然后真空冷却至室温.利用电子探针分析薄膜成分，在加入Sb量为15% 时，In和Sb原子比最为接近理想化学比的50.65%. (2)磁控溅射法. 磁控溅射法与热蒸镀法相比，成分容易控制.一般溅射制成的薄膜与靶的成分基本一致. 利用真空熔炼的高纯lnSb块，制成中65mm.厚4mm的片，表面地光后粘在靶的铜极上.衬底 片选用(100)取向抛光后约10cmr的Si片，表面氧化处理，形成一层SiO,起绝缘作用.在正 式镀膜前，用离子轰击清洗靶的表面和村底片的表面.抽真空至9.3×10)Pa,然后充氩气使 压力降至5.3×10-3Pa,开始黻射.镀膜时间20min,模厚约为2一3um.用电子探针作成分分 析，Sb与山的原子比为48.95%，非常接近1：1理想化学比（靶的成分为49.33%）. 1.2真空热处理 用热蒸镀和藏射制备的lnSb薄膜，还存在誉大量的n,Sb两相单质，膜的品粒尺寸很小， 且为lnSb,ln,Sb各相的混合物.为了提高lnSb薄膜的电子迁移率，对所制得的薄膜进行热处 理很有必要.热处理的温度选择是本实验的关键.过去，对InSb的热处理怕重熔后Sb的再次 挥发，一般选择熔点下某一温度，使lSb晶粒在固态下扩散长大，本实验选择的热处理温度 为525~527℃，正好比nSb的熔点略高，使nSb液化，重新形核生长，但温度不易过高，否则 会造成Sb的强烈蒸发，而使成分的严重偏离，为了防止在热处理时薄膜中Sb的再次蒸发，采 用制造钝化膜的方法加以保护：将试样在空气中加热至300℃.保温10mi,薄膜表面会有Sb 的少量蒸发，形成高In区，而1n与氧反应，生成一层致密的饨化膜n,O,,防止了再加热时Sb 的进一步蒸发：然后将制备完纯化膜的lSb膜放入真空炉内，抽真空至0.133Pa,然后充氢气 至正常压力，加热至所需温度，保温30min,炉冷，出炉后.试样用FeC,去掉In,O,钝化层. 2结果与分析 图1(a)和(b)是热处理前的热蒸镀和磁控藏射的lSb薄膜扫描电镜照片.从照片的组织 观察可见，所制得的膜基本完整，而殿射的膜比蒸镀的膜更为致密，Sb的晶粒从组织照片中 图12种镀骥方法得到【Sb的圆粒组织（热处理前） (a)热慕镀；(b)碰控溅射