Vol.19 No.5 王元玮等：真空液相重结晶法改善ISb薄膜的组织和性能 ·587· 观赛约为1μm,从X射线衍射图（图2）可见，在热处理前，薄膜的成分虽然是接近Sb的原 子比I:l,但是膜并非以【nSb单相存在，并且1n和Sb单质的衍射峰强度还很高，说明有相当 量的ln和Sb的单质存在，这时膜应该是lnSb,ln,Sb三相的混合物.所测量的电子迁移率（温 度300K),热蒸镀1nSb膜为1.31×10cm(V·s).戴射的lnSb膜为2.15×103cm7(V·s). 图3（和(b)是液相重结晶后的热燕镀和磁控溅射的InSb薄膜的扫描电镜照片，从照片的 8 InSb(11) InSb(1)1) InSt220) 01 x/Sd 1nSb220) In(100) InSb(311) Sb102 OI x /Sd3 ln(100) 4 sx102) InSb(311) InSb(331) InSb(331) 1110) In(110) InSb(422) InSb(422) 5.0020.00 40.00 60.0080.00 5.0020.00 40.00 60.D0 80.00 29/() 281(°) 图22种镀膜方法得到如Sb的物相分析（热处理前） ()热蒸擅：（仙）磁控藏射 组织观察可得，lSb的晶粒尺寸明显增大，约为20μm,而且基本连续.图4的X射线衍射图 谱中也可发现，这时薄膜中的简单混合的状态已经改变，基本上只剩下ISb的单相衍射 峰.Sb的单质相完全消失，ln单质的行射壕强度也大大减弱，说明也只剩下极少量的n,可能 是由于Sb的热处理的重蒸发引起n在化学原子比中增加，最后游离出了一部分的1n.重结晶 后的1Sb薄膜的电子迁移率（温度300K)大大提高，热蒸镀膜为4.46×10cm2/V·s),磁控 藏射膜为2.04×10cm/V·s). 013 图32种镀碘方法得到的nS膜晶粒组织照片（热处理后 (a)熟燕镀：(b)磁控藏射