答:300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5×101cm3和5.0× 103cm3。 37、解:由于半导体是非简并半导体,所以有电中性条件 施主电离很弱时,等式右边分母中的“”可以略去 即N E koTIn 2 2N 而EF=(EC+ED) 则N=2N 答:ND为二倍Nc 第四篇习题半导体的导电性 刘诺编 41、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋 势不同?试加以定性分析。 4-2、何谓迁移率?影响迁移率的主要因素有哪些? 43、试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。 44、证明当队≠H,且电子浓度="Vn,空穴浓度P=Vp时半 导体的电导率有最小值,并推导Om的表达式。 4-5、0.12kg的Si单晶掺有30×10%kg的Sb,设杂质全部电离,试求出此材料 的电导率。(Si单晶的密度为2.33g/cm3,Sb的原子量为121.8) 第四篇题解-半导体的导电性 刘诺编 4-1、解:对于重掺杂半导体,在低温时,杂质散射起主体作用,而晶格振动散 射与一般掺杂半导体的相比较,影响并不大,所以这时侯随着温度的升高,重 掺杂半导体的迁移率反而增加;温度继续增加后,晶格振动散射起主导作用,答： 300K 时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是 4.5×1016cm-3和 5.0× 103cm-3。 3-7、解：由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件 n0=ND + ( ) D c F C D V C D D F k T E E k T D E E c k T E E k T D E E c N N E E E N N k T E E E e N N e e N N e c F D F D F c F 2 2 1 2 ln 2 1 2 2 1 1 2 0 0 0 0 0 = = +         +   +  = = + = − − − − − − 则 而 即 施主电离很弱时，等式右边分母中的“”可以略去， 答：ND 为二倍 NC。 第四篇 习题-半导体的导电性 刘诺 编 4-1、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋 势不同？试加以定性分析。 4-2、何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 4-3、试定性分析 Si 的电阻率与温度的变化关系。 4-4、证明当 µn≠µp，且电子浓度 n ni n  p / 0 = ，空穴浓度 p ni  p n / 0 = 时半 导体的电导率有最小值，并推导  min 的表达式。 4-5、0.12kg 的 Si 单晶掺有 3.0×10-9kg 的 Sb，设杂质全部电离，试求出此材料 的电导率。（Si 单晶的密度为 2.33g/cm3，Sb 的原子量为 121.8） 第四篇 题解-半导体的导电性 刘诺 编 4-1、解：对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散 射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重 掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用