第四章金属薄膜的电导 表4-1金属材料的电阻率 材料名称 材料温度及结构状态 电阻来源 电阻率 温度系数 p TCR 晶 0K,理想晶格 无 D 一 单 晶 >0区，晶格振动 声子散射 很小 很大 块 材 单 晶 >0区，晶格中含杂质 声子和杂质散射 增大 减小 单 晶 >0K,晶体中再含缺陷 再加缺陷散射 再增大 再减小 多 晶 >0区，晶体中再含晶界 又加晶界散射 文增大 又减小 连续膜 >0K,最体一维变小 再加表面散射 再增大 再成小 薄膜（多晶） 网状膜 丝状膜 >0区，晶体近于只有一维连续 再加细丝周界散射 再增大 再减小 接触膜 >0区，晶体近于全不连续 再加接触散射 又增大 返于零 岛状膜 >0K,晶体完全不连续 电子隧道 很大 负值 对于同一种金属，薄膜的电阻率不但大于块状材料，而且 引起附加电阻的物理机制也多于块材。第四章 金属薄膜的电导 表4-1 金属材料的电阻率 对于同一种金属，薄膜的电阻率不但大于块状材料，而且 引起附加电阻的物理机制也多于块材