1 (2)由RH求载流子浓度n。即”=e。应该指出，这个关系式是假定 所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，如果考虑载流子 的速度统计分布，需引入如的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半 导体物理学》)。 (3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率“。电导率σ与载流子浓度 n以及迁移率“之间有如下关系： 口=2eH (5) 即4=IRa口，测出σ值即可求4。 3.霍尔效应与材料性能的关系 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移 率高、电阻率亦较高)的材料。因1R:卡4，就金属导体而言，迁移率和电阻率 均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小，因而这两种材料的霍尔系数 都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体迁移率高，电阻率适中，是制造霍尔 元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所于霍尔元件多采用 N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔元件 的输出电压较片状要高得多。（２）由RH求载流子浓度n。即 。应该指出，这个关系式是假定 所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，如果考虑载流子 的速度统计分布，需引入 的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半 导体物理学》）。 （3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率 。电导率 与载流子浓度 n以及迁移率 之间有如下关系： （5） 即 ＝ ，测出 值即可求 。 1 H n R e = 3 8  3．霍尔效应与材料性能的关系 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移 率高、电阻率亦较高）的材料。因 ，就金属导体而言，迁移率和电阻率 均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小，因而这两种材料的霍尔系数 都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体迁移率高，电阻率适中，是制造霍尔 元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所于霍尔元件多采用 N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔元件 的输出电压较片状要高得多