§3-2PN结的形成及特性 P型半导体中含有的受主杂质电离为带正电的空穴和 带负电的受主离子。型半导体中含有的施主杂质 电离为带负电的电子和带正电的施主离子。 在室温下，P型和N型半导体中还有少数受本征激发 产生的电子和空穴，通常本征激发产生的载流子要 比掺杂产生的少得多。 半导体中的正负电荷数是相等的，它们的作用互相 抵消，因此保持电中性。 1212 §3-2 PN结的形成及特性 ™ P型半导体中含有的受主杂质电离为带正电的空穴和 带负电的受主离子。 N型半导体中含有的施主杂质 电离为带负电的电子和带正电的施主离子。 ™ 在室温下， P型和 N型半导体中还有少数受本征激发 产生的电子和空穴，通常本征激发产生的载流子要 比掺杂产生的少得多。 ™ 半导体中的正负电荷数是相等的，它们的作用互相 抵消，因此保持电中性