PN结的形成 P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就 出现了电子和空穴的浓度差别，N型区内电子多而空 穴少，P型区内则相反，空穴多而电子少。 必 电子和空穴都要从浓度高的地方向着浓度低的地方扩 散。电子要从N型区向P型区扩散，空穴要从P型区向 N型区扩散。 ?电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和 N区中原来保持的电中性被破坏了。 P型 N型 1313 PN结的形成 ™ P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就 出现了电子和空穴的浓度差别，N型区内电子多而空 穴少，P型区内则相反，空穴多而电子少。 ™ 电子和空穴都要从浓度高的地方向着浓度低的地方扩 散。电子要从N型区向P型区扩散，空穴要从P型区向 N型区扩散。 ™ 电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和 N区中原来保持的电中性被破坏了