是在晶界形成新的二维相。结果是使P的品界偏聚倾向大于同样水平的F©~P合金，反映为Ce 有促进P品界偏聚的作用。 晶界的高倍透射电镜观察没有发现品界上有第二相存在，因此上述结果不会有析出相的 干扰。 4结 论 Ce对P在a-Fc晶界偏聚的影响很大。在低P合金中，Ce有抑制P向晶界偏聚的作用，Ce 与P在品界主要是位置竞争作用。在高P合金中，C©却有促进P向晶界偏聚的作用，形成高浓 度的Ce-P共偏聚。Ce对P品界偏聚影响的变化原因主要是晶界形成的偏聚结构的改变。 参考文献 1袁泽喜，冯松筠，李景慧，吴承建。第三届国际材料热处理大会论文选集，中国机 械工程学会编，北京：机械工业出版社，1985,174 2余宗森，褚幼义，贺信莱，杜国维，高佩钰，朱逢吾.钢中稀土，北京：治金工业 出版社，1982,132 3张东彬，吴承建。金属学报，1988,24(2)：A100 4张东彬，吴承建。物理测试，1988，(5)：3 5张东彬，吴承建，杨让。材料科学与工程，1988，(3)：35 6张东彬。北京科技大学博土学位论文，1988 7张东彬，吴承建，杨让。金属学报，1989，（增刊2），待出版 8 Guttmann M and McLean D.Interfacial segregation,ed,Johnson W C and Blakcly I M.ASM,Mctals Park,Ohio,1979,261 ·516·是 在晶界形 成新的 二维相 。 结果是使 的 晶界偏聚倾向大 于 同样水 平的 一 合 金 ， 反 映 为 。 有 促 进 晶 界偏聚 的作 用 。 晶 界的高倍透射电镜 观 察没有 发 现 晶 界上 有第二 相存在 ， 因此 上 述 结果不 会有 析出 相 的 干扰 。 结 论 以士 在 一 晶 界 偏聚 的影 响 很大 。 在低 合 金 中 ， 有 抑制 向晶 界偏 聚 的 作 用 ， 与 在 晶 界主 要是 位置 竞争作用 。 在高 合 金 中 ， 。 却 有促 进 向 晶界偏聚的作 用 ， 形 成高浓 度的 一 共偏聚 。 对 品 界偏聚影响 的变化 原 因主要 是 晶界形 成的偏 聚 结 构 的改 变 。 参 考 文 献 袁 泽 喜 ， 冯 松 药 ， 李 景慧 ， 吴承建 第三 届 国际 材料热 处理大 会论文 选 集 中国机 械 工程学 会编 ， 北京 机 械工业 出版社 ， ， 余宗森 ， 褚 幼义 ， 贺信莱 ， 杜 国 维 ， 高佩江 ， 朱 逢吾 钢 中 稀 土 ， 北京 冶 金 工 业 出版社 ， ， 张东彬 ， 吴承建 金属学 报 ， ， 张 东彬 ， 吴承建 物 理测试 ， ， 张东彬 ， 吴承建 ， 杨 让 材 料科学 与工程 ， ， 张东彬 北京 科技大学 博士 学位论文 ， 张 东彬 ， 吴承建 ， 杨 让 。 金 属学 报 ， ， 增刊 ， 待 出版 ， 入 入 ， 入 ‘ ， ， ， ·