牛顿粘滞 2=( 流动类型晶界薄,dgb<2b晶面不平滑,突出部分dg 2) 2)非粘滞流动情况 与晶界处生成空穴,位错沿晶界滑移、攀移,三交点处生成裂纹有关 D和 Dg debi相关 2(( B C 厚 含第二相(牛顿粘滞流动) 晶界机理 弹性畸变 不含第二相扩散(晶格晶界) 厚 晶界结构 薄 非滞流动 结构层次:o, t ge d. d2 b Doh dgb 3.晶格机理--位错运动 在温度、应力作用下的位错被激 1)蠕变速率受攀移控制的位错滑移机理 ①吸收空位或原子攀移松弛源→开始工作 ②相邻晶粒反号位错→消毁→松弛→源工作 然而a、高温下位错交结成结 b、复杂应力场亚晶界只能有小的塞积群 c、条件蠕变下,不可能有大的塞积群 故受滑移或攀移控制 2)蠕变速率受位错滑移的控制 溶质原子或成为滑移的抛锚( drage) 溶质原子密度增加 位错被溶质原子分割越来越短,开动起来所需应力越来越大。 位错环分解 螺位错→割阶→偶极子→分解成环→引起硬化 4)发自 Bardeen- Herring源的位错攀移 源工作放出位错→密度增大→异号位错攀移→消消→继续工作 5)割阶螺旋位错守恒运动 6)亚结构上的纳-赫蠕变 形成亚结构→亚结构间扩散 7)亚晶界上的位错攀移 攀移牛顿粘滞 流动类型 晶界薄， dgb＜2b晶面不平滑，突出部分dg 2)非粘滞流动情况 与 晶界处生成空穴，位错沿晶界滑移、攀移，三交点处生成裂纹有关 D和 Dg Dgb相关 厚 含第二相(牛顿粘滞流动) 晶界机理 薄 弹性畸变 不含第二相 扩散(晶格,晶界) 厚 牛顿 晶界结构 薄 非粘滞流动 结构层次:σ，t, Gg Dg Dgb Dph dgb 3.晶格机理-----位错运动 在温度、应力作用下的位错被激活 1)蠕变速率受攀移控制的位错滑移机理 ①吸收空位或原子 攀移松弛 源→开始工作 ②相邻晶粒反号位错→消毁→松弛→源工作 然而 a、高温下位错交结成结 b、复杂应力场亚晶界只能有小的塞积群 c、条件蠕变下，不可能有大的塞积群 故受滑移或攀移控制 2)蠕变速率受位错滑移的控制 溶质原子或成为滑移的抛锚（drage） 溶质原子密度增加 位错被溶质原子分割越来越短，开动起来所需应力越来越大。 3)位错环分解 螺位错→割阶→偶极子→分解成环→引起硬化 4)发自Bardeen-Herring源的位错攀移 源工作放出位错→密度增大→异号位错攀移→消消→继续工作 5)割阶螺旋位错守恒运动 6)亚结构上的纳-赫蠕变 形成亚结构→亚结构间扩散 7)亚晶界上的位错攀移 T 攀移